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DGD2181S8-13

IC: driver; demi-pont IGBT,demi-pont MOSFET; SO8; -2,3÷1,9A; Ch: 1


Fabricant: DIODES INCORPORATED

Marque du fabricant:
DGD2181S8-13
Référence TME:
DGD2181S8-13

Spécification

Fabricant
DIODES INCORPORATED
Type de circuit intégré
driver
Topologie
demi-pont IGBT, demi-pont MOSFET
Genre de circuit intégré
commande de ports, high-/low-side
Boîtier
SO8
Courant de base
-2,3...1,9A
Nombre de canaux
1
Montage
SMD
Température de travail
-40...125°C
Temps de croissance d'impulsion
60ns
Temps de baisse d'impulsion
35ns
Genre de la emballage
bande, rouleau
Tension d'alimentation
  • 10...20V
Poids brut0.1 g
Certificates
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DGD2181S8-13
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Prix net pour les quantités de 25 pcs - 1.24 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 1.24 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.15 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.15 USD
Prix net pour les quantités de 250 pcs - 1.04 USDPrix brut pour les quantités de 250 pcs - 1.04 USD
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