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DMG1016VQ-13

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; 20/-20V; 630/-460mA; 530mW

Fabricant: DIODES INCORPORATED

Marque du fabricant:
DMG1016VQ-13
Référence TME:
DMG1016VQ-13

Spécification

Fabricant
DIODES INCORPORATED
Type de transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
20/-20V
Courant du drain
0,63/-0,46A
Puissance de dissipation
0,53W
Boîtier
SOT563
Tension entrée-source
±6V
Résistance en état de conduction
700mΩ/1,3Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
736,6/622,4pC
Genre de la emballage
bande, rouleau 13 pouces
Genre de canal
enrichi
Utilisation
industrie automobile
Poids brut1 g
Certificates

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DMG1016VQ-13
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