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DMG6601LVT-7

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; paire complémentaire; 3/-2A


Fabricant: DIODES INCORPORATED

Marque du fabricant:
DMG6601LVT-7
Référence TME:
DMG6601LVT-7

Spécification

Fabricant
DIODES INCORPORATED
Type de transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Genre de transistor
paire complémentaire
Tension drain-source
30/-30V
Courant du drain
3/-2A
Puissance de dissipation
0,54W
Boîtier
TSOT26
Tension entrée-source
±12V
Résistance en état de conduction
0,065/0,142Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau 7 pouces
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.021 g
Certificates

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DMG6601LVT-7
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs