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DMG6602SVT-7

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; paire complémentaire; 1,112W


Fabricant: DIODES INCORPORATED

Marque du fabricant:
DMG6602SVT-7
Référence TME:
DMG6602SVT-7

Spécification

Fabricant
DIODES INCORPORATED
Type de transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Genre de transistor
paire complémentaire
Tension drain-source
30/-30V
Courant du drain
2,8/-3,4A
Puissance de dissipation
1,112W
Boîtier
TSOT26
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,06/0,095Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau 7 pouces
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.018 g
Certificates

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DMG6602SVT-7
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs