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Fabricant	DIODES INCORPORATED
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	12V
Courant du drain	16A
Courant du drain dans l'impulsion	90A
Puissance de dissipation	2,4W
Boîtier	X2-TSN1820-10
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	6,9mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	29nC
Genre de la emballage	bande, rouleau 7 pouces
Genre de canal	enrichi

DMN1001UCA10-7

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 12V; 16A; Idm: 90A; 2,4W

Spécification

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