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DMN1029UFDB-7

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 12V; 3,7A; 1,4W; U-DFN2020-6

Fabricant: DIODES INCORPORATED

Marque du fabricant:
DMN1029UFDB-7
Référence TME:
DMN1029UFDB-7

Spécification

Fabricant
DIODES INCORPORATED
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
12V
Courant du drain
3,7A
Puissance de dissipation
1,4W
Boîtier
U-DFN2020-6
Tension entrée-source
±8V
Résistance en état de conduction
65mΩ
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau 7 pouces
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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DMN1029UFDB-7
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