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Fabricant	DIODES INCORPORATED
Type de transistor	N-MOSFET x8
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	12V
Courant du drain	1,6A
Courant du drain dans l'impulsion	10A
Puissance de dissipation	1,25W
Boîtier	U-QFN1515-12
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	0,55Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	1,9nC
Genre de la emballage	bande, rouleau 7 pouces
Genre de canal	enrichi

DMN1250UFEL-7

Transistor: N-MOSFET x8; unipolaire; 12V; 1,6A; Idm: 10A; 1,25W

Spécification

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