+1 500 000 produits offerts

7000 colis expédiés chaque jour

+300 000 clients de 150 pays

Avez-vous des questions ? Appelez 678.691.2347 (lun-ven 08.00-18.00 EDT)

Enregistrez vous

Quick Buy Favoris

Pas de douanes américaines – Commandez chez TME en toute confiance

En savoir plus ici

Traitement de données en cours

La limite de votre crédit a été dépassée. La commande sera acceptée mais elle ne sera pas traitée. Le calendrier de livraisons des articles ne sera pas non plus déterminé. Veuillez contacter un employé de TME.

L’opération a été réussie

Une erreur imprévue s’est produite. Réessayer.

Fabricant	DIODES INCORPORATED
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	12V
Courant du drain	10,8A
Courant du drain dans l'impulsion	80A
Puissance de dissipation	1,73W
Boîtier	X4-DSN3015-10
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	6,1mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	35,7nC
Genre de la emballage	bande, rouleau 7 pouces
Genre de canal	enrichi

DMN12M7UCA10-7

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 12V; 10,8A; Idm: 80A; 1,73W

Spécification

REGARDEZ LA VIDÉO