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DMN2025UFDB-7

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 20V; 4,8A; Idm: 35A; 1,4W

Fabricant: DIODES INCORPORATED

Marque du fabricant:
DMN2025UFDB-7
Référence TME:
DMN2025UFDB-7

Spécification

Fabricant
DIODES INCORPORATED
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
20V
Courant du drain
4,8A
Courant du drain dans l'impulsion
35A
Puissance de dissipation
1,4W
Boîtier
U-DFN2020-6
Tension entrée-source
±10V
Résistance en état de conduction
31mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
12,3nC
Genre de la emballage
bande, rouleau 7 pouces
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates

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DMN2025UFDB-7
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