DMN3055LFDB-7

Name: DIODES INCORPORATED DMN3055LFDB-7
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMN3055LFDB-7
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 4A; Idm: 25A; 870mW

Fabricant: DIODES INCORPORATED

Marque du fabricant:

DMN3055LFDB-7

Référence TME:

DMN3055LFDB-7

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.71 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.71 USD

Prix net pour les quantités de 5 pcs - 0.52 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 0.52 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.41 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.41 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.21 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.21 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.16 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.16 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.16 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.16 USD

Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.15 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.15 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.

Fabricant	DIODES INCORPORATED
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	4A
Courant du drain dans l'impulsion	25A
Puissance de dissipation	0,87W
Boîtier	U-DFN2020-6
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	75mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	11,2nC
Genre de la emballage	bande, rouleau 7 pouces
Genre de canal	enrichi