+1 500 000 produits offerts

7000 colis expédiés chaque jour

+300 000 clients de 150 pays

Avez-vous des questions ? Appelez 678.691.2347 (lun-ven 08.00-18.00 EDT)

Enregistrez vous

Quick Buy Favoris

Pas de douanes américaines – Commandez chez TME en toute confiance

En savoir plus ici

Traitement de données en cours

La limite de votre crédit a été dépassée. La commande sera acceptée mais elle ne sera pas traitée. Le calendrier de livraisons des articles ne sera pas non plus déterminé. Veuillez contacter un employé de TME.

L’opération a été réussie

Une erreur imprévue s’est produite. Réessayer.

Fabricant	DIODES INCORPORATED
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	0,2A
Courant du drain dans l'impulsion	0,8A
Puissance de dissipation	0,22W
Boîtier	SOT363
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	20Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	1,23nC
Genre de la emballage	bande, rouleau 13 pouces
Genre de canal	enrichi

DMN33D8LDW-13

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 200mA; Idm: 0,8A; 220mW

Spécification

REGARDEZ LA VIDÉO