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DMN3401LDW-13

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW

Fabricant: DIODES INCORPORATED

Marque du fabricant:
DMN3401LDW-13
Référence TME:
DMN3401LDW-13

Spécification

Fabricant
DIODES INCORPORATED
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
0,6A
Courant du drain dans l'impulsion
4A
Puissance de dissipation
0,35W
Boîtier
SOT363
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,7Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
1,2nC
Genre de la emballage
bande, rouleau 13 pouces
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates

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DMN3401LDW-13
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Prix net pour les quantités de 10000 pcs - 0.06 USDPrix brut pour les quantités de 10000 pcs - 0.06 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 10 000)