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DMN63D8LDW-13

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 0,17A; Idm: 0,8A; 0,4W

Famille de produits

Fabricant: DIODES INCORPORATED

Marque du fabricant:
DMN63D8LDW-13
Référence TME:
DMN63D8LDW-13

Spécification

Fabricant
DIODES INCORPORATED
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
0,17A
Courant du drain dans l'impulsion
0,8A
Puissance de dissipation
0,4W
Boîtier
SOT363
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
4,5Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau 13 pouces
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.006 g
Certificates

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DMN63D8LDW-13
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