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DMN63D8LDWQ-7

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 0,26A; 0,3W; SOT363; ESD

Fabricant: DIODES INCORPORATED

Marque du fabricant:
DMN63D8LDWQ-7
Référence TME:
DMN63D8LDWQ-7

Spécification

Fabricant
DIODES INCORPORATED
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
0,26A
Puissance de dissipation
0,3W
Boîtier
SOT363
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
2,8Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau 7 pouces
Genre de canal
enrichi
Utilisation
industrie automobile
Version
ESD
Poids brut0.019 g
Certificates

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DMN63D8LDWQ-7
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Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs