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DMN67D8LDW-7

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 60V; 180mA; Idm: 0,8A; 410mW

Fabricant: DIODES INCORPORATED

Marque du fabricant:
DMN67D8LDW-7
Référence TME:
DMN67D8LDW-7

Spécification

Fabricant
DIODES INCORPORATED
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
60V
Courant du drain
0,18A
Courant du drain dans l'impulsion
0,8A
Puissance de dissipation
0,41W
Boîtier
SOT363
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
7,5Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
821pC
Genre de la emballage
bande, rouleau 7 pouces
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates

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DMN67D8LDW-7
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