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Fabricant	DIODES INCORPORATED
Type de transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-20V
Courant du drain	-120A
Courant du drain dans l'impulsion	-350A
Puissance de dissipation	2,7W
Boîtier	PowerDI5060-8
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	4mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	177nC
Genre de la emballage	bande, rouleau 13 pouces
Genre de canal	enrichi

DMP2003UPS-13

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -120A; Idm: -350A; 2,7W

Spécification

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