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Fabricant	DIODES INCORPORATED
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	18A
Courant du drain dans l'impulsion	100A
Puissance de dissipation	2,4W
Boîtier	PowerDI3333-8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	5,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	44nC
Genre de la emballage	bande, rouleau 13 pouces
Genre de canal	enrichi

DMT3003LFG-13

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 18A; Idm: 100A; 2,4W

Spécification

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