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Fabricant	DIODES INCORPORATED
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	6,2A
Courant du drain dans l'impulsion	50A
Puissance de dissipation	1,8W
Boîtier	U-DFN2020-6
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	32mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	7nC
Genre de la emballage	bande, rouleau 13 pouces
Genre de canal	enrichi

DMT3020LFDB-13

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 6,2A; Idm: 50A; 1,8W

Spécification

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