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Fabricant	DIODES INCORPORATED
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	40V
Courant du drain	9,5A
Courant du drain dans l'impulsion	120A
Puissance de dissipation	14,8W
Boîtier	PowerDI3333-8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	15mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	14nC
Genre de la emballage	bande, rouleau 7 pouces
Genre de canal	enrichi

DMT47M2LDV-7

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 40V; 9,5A; Idm: 120A; 14,8W

Spécification

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