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DMTH10H017LPDQ-13

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 100V; 9A; Idm: 236A; 1,5W


Fabricant: DIODES INCORPORATED

Marque du fabricant:
DMTH10H017LPDQ-13
Référence TME:
DMTH10H017LPDQ-13

Spécification

Fabricant
DIODES INCORPORATED
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
9A
Courant du drain dans l'impulsion
236A
Puissance de dissipation
1,5W
Boîtier
PowerDI®5060-8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
30,3mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
28,6nC
Genre de la emballage
bande, rouleau 13 pouces
Genre de canal
enrichi
Utilisation
industrie automobile
Poids brut0.1 g
Certificates

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DMTH10H017LPDQ-13
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