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Fabricant	DIODES INCORPORATED
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	40V
Courant du drain	7,1A
Courant du drain dans l'impulsion	184A
Puissance de dissipation	2,67W
Boîtier	PowerDI5060-8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	17,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	12,3nC
Genre de la emballage	bande, rouleau 13 pouces
Genre de canal	enrichi

DMTH4008LPDW-13

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 40V; 7,1A; Idm: 184A; 2,67W

Spécification

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