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Fabricant	DIODES INCORPORATED
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	40V
Courant du drain	55A
Courant du drain dans l'impulsion	316A
Puissance de dissipation	3,3W
Boîtier	PowerDI5060-8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	5,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	13,2nC
Genre de la emballage	bande, rouleau 13 pouces
Genre de canal	enrichi
Utilisation	industrie automobile

DMTH45M5SPDWQ-13

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 40V; 55A; Idm: 316A; 3,3W

Spécification

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