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Fabricant	DIODES INCORPORATED
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	40V
Courant du drain	9,6A
Courant du drain dans l'impulsion	196A
Puissance de dissipation	2,9W
Boîtier	PowerDI3333-8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	13,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	12,3nC
Genre de la emballage	bande, rouleau 13 pouces
Genre de canal	enrichi
Utilisation	industrie automobile

DMTH47M2LFVWQ-13

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 40V; 9,6A; Idm: 196A; 2,9W

Spécification

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