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Fabricant	DIODES INCORPORATED
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	40V
Courant du drain	51A
Courant du drain dans l'impulsion	292A
Puissance de dissipation	3,8W
Boîtier	PowerDI5060-8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	12mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	12,6nC
Genre de la emballage	bande, rouleau 13 pouces
Genre de canal	enrichi

DMTH47M2LPSW-13

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 40V; 51A; Idm: 292A; 3,8W

Spécification

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