DN3525N8-G
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 250V; 360mA; Idm: 1A; 1,6W
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
DN3525N8-G
Référence TME:
DN3525N8-G
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 250V | |
Courant du drain | 0,36A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 1A | |
Puissance de dissipation | 1,6W | |
Boîtier | SOT89-3 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 6Ω | |
Montage | SMD | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | appauvri | |
Emballage standard du fabricant | 2000pc |
Poids brut1.719 g
Certificates
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* DN3525N8-GNombre de pièces (Multiplication: 1)
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