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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	8A
Courant du drain dans l'impulsion	60A
Puissance de dissipation	1,4W
Boîtier	ECH8
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	20,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	12,3nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

ECH8663R-TL-H

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 8A; Idm: 60A; 1,4W; ECH8

Spécification