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ECH8697R-TL-W

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 24V; 10A; Idm: 60A; 1,5W; ECH8

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
ECH8697R-TL-W
Référence TME:
ECH8697R-TL-W

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
24V
Courant du drain
10A
Courant du drain dans l'impulsion
60A
Puissance de dissipation
1,5W
Boîtier
ECH8
Tension entrée-source
±12,5V
Résistance en état de conduction
11,6mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
6nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Construction de semi-conducteur
drain commun
Utilisation
contrôle de chargement de accumulateur
Version
ESD
Poids brut0.01 g
Certificates
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ECH8697R-TL-W
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