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EM6J1T2R

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -20V; 200mA; Idm: -0,8A; 150mW

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
EM6J1T2R
Référence TME:
EM6J1T2R

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-20V
Courant du drain
0,2A
Courant du drain dans l'impulsion
-0,8A
Puissance de dissipation
0,15W
Boîtier
SOT563
Tension entrée-source
±10V
Résistance en état de conduction
9,6Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
1,4nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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EM6J1T2R
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