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F4150R12KS4BOSA1

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT x2; Ic: 150A

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES

Marque du fabricant:
F4150R12KS4BOSA1
Référence TME:
F4150R12KS4BOSA1

Spécification

Fabricant
INFINEON TECHNOLOGIES
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
demi-pont IGBT x2, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
150A
Boîtier
AG-ECONO3-4
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
300A
Puissance de dissipation
960W
La technologie
EconoPACK™ 3
Montage mécanique
vissés
Poids brut303.5 g
Certificates
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F4150R12KS4BOSA1
5 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 192.55 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 192.55 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 172.83 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 172.83 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 161.23 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 161.23 USD
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Méthode d'emballage par le fabricantCarton = 10 pcs