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F4150R12KS4BOSA1

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT x2; Ic: 150A


Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES

Marque du fabricant:
F4150R12KS4BOSA1
Référence TME:
F4150R12KS4BOSA1

Spécification

Fabricant
INFINEON TECHNOLOGIES
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
demi-pont IGBT x2, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
150A
Boîtier
AG-ECONO3-4
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
300A
Puissance de dissipation
960W
La technologie
EconoPACK™ 3
Montage mécanique
vissés
Poids brut303.5 g
Certificates
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F4150R12KS4BOSA1
5 dans l'entrepôt TME
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 186.77 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 186.77 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 167.64 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 167.64 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 156.40 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 156.40 USD
Méthode d'emballage par le fabricant:Carton = 10 pcs