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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	600V
Courant du drain	47A
Courant du drain dans l'impulsion	141A
Puissance de dissipation	417W
Boîtier	TO3P
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	73mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	0,21µC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

FCA47N60F

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO3P

Spécification