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FCB099N65S3

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 650V; 30A; Idm: 75A; 227W; D2PAK

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FCB099N65S3
Référence TME:
FCB099N65S3

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
650V
Courant du drain
30A
Courant du drain dans l'impulsion
75A
Puissance de dissipation
227W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
99mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
61nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.5 g
Certificates
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FCB099N65S3
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