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FCB110N65F

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 650V; 35A; Idm: 105A; 357W; D2PAK


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FCB110N65F
Référence TME:
FCB110N65F

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
650V
Courant du drain
35A
Courant du drain dans l'impulsion
105A
Puissance de dissipation
357W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,11Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
98nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.5 g
Certificates
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FCB110N65F
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