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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	650V
Courant du drain	24A
Courant du drain dans l'impulsion	60A
Puissance de dissipation	181W
Boîtier	D2PAK
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	0,125Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	46nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FCB125N65S3

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK

Spécification