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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	650V
Courant du drain	14A
Courant du drain dans l'impulsion	35A
Puissance de dissipation	98W
Boîtier	D2PAK
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	0,199Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	30nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FCB199N65S3

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 650V; 14A; Idm: 35A; 98W; D2PAK

Spécification