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FCB20N60FTM

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 12,5A; 208W; D2PAK


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FCB20N60FTM
Référence TME:
FCB20N60FTM

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SuperFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
600V
Courant du drain
12,5A
Puissance de dissipation
208W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
0,19Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.697 g
Certificates

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FCB20N60FTM
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 800 pcs