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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	SuperFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	600V
Courant du drain	12,5A
Puissance de dissipation	208W
Boîtier	D2PAK
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	0,19Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	98nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FCB20N60TM

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 12,5A; 208W; D2PAK

Spécification