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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	SuperFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	800V
Courant du drain	17A
Puissance de dissipation	212W
Boîtier	D2PAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	0,29Ω
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FCB290N80

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 17A; 212W; D2PAK

Spécification

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