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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	650V
Courant du drain	12A
Courant du drain dans l'impulsion	30A
Puissance de dissipation	90W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	0,26Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	24nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FCD260N65S3

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK

Spécification