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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	600V
Courant du drain	6,4A
Puissance de dissipation	106W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	0,38Ω
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FCD380N60E

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 6,4A; 106W; DPAK

Spécification

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