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FCD4N60TM

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 2,5A; 50W; DPAK


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FCD4N60TM
Référence TME:
FCD4N60TM

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
600V
Courant du drain
2,5A
Puissance de dissipation
50W
Boîtier
DPAK
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
1,2Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.386 g
Certificates

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FCD4N60TM
2455 dans l'entrepôt TME
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs