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FCD5N60TM

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 2,9A; 54W; DPAK


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FCD5N60TM
Référence TME:
FCD5N60TM

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SuperFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
600V
Courant du drain
2,9A
Puissance de dissipation
54W
Boîtier
DPAK
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
0,95Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
16nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.396 g
Certificates
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FCD5N60TM
2478 dans l'entrepôt TME
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs