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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	600V
Courant du drain	7,3A
Courant du drain dans l'impulsion	21,9A
Puissance de dissipation	89W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	620mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	20nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FCD620N60ZF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 7,3A; Idm: 21,9A; 89W; DPAK

Spécification