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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	600V
Courant du drain	7A
Courant du drain dans l'impulsion	21A
Puissance de dissipation	83W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	0,6Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	23nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FCD7N60TM-WS

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK

Spécification