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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	600V
Courant du drain	7A
Courant du drain dans l'impulsion	21A
Puissance de dissipation	83W
Boîtier	I2PAK
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	0,6Ω
Montage	THT
Charge d'entrée	23nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

FCI7N60

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK

Spécification