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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	650V
Courant du drain	38A
Courant du drain dans l'impulsion	95A
Puissance de dissipation	260W
Boîtier	TDFN4
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	80mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	71nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FCMT080N65S3

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 650V; 38A; Idm: 95A; 260W; TDFN4

Spécification