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FCP067N65S3

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FCP067N65S3
Référence TME:
FCP067N65S3

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
650V
Courant du drain
28A
Courant du drain dans l'impulsion
110A
Puissance de dissipation
312W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
67mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
78nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2.06 g
Certificates
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FCP067N65S3
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Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs