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FCP099N60E

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 37A; Idm: 111A; 357W

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FCP099N60E
Référence TME:
FCP099N60E

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
600V
Courant du drain
37A
Courant du drain dans l'impulsion
111A
Puissance de dissipation
357W
Boîtier
TO220-3
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
99mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
88nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors THT à canal N ONSEMI,
*
FCP099N60E
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