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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	N
Tension drain-source	650V
Courant du drain	30A
Puissance de dissipation	227W
Boîtier	TO220
Tension entrée-source	30V
Résistance en état de conduction	99mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	61nC
Genre de canal	enrichi

FCP099N65S3

Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 30A; 227W; TO220

Spécification