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FCP190N60E

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 20,6A; Idm: 61,8A; 208W

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FCP190N60E
Référence TME:
FCP190N60E

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
600V
Courant du drain
20,6A
Courant du drain dans l'impulsion
61,8A
Puissance de dissipation
208W
Boîtier
TO220-3
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,19Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
63nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2 g
Certificates
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*
FCP190N60E
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