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FDA16N50LDTU

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 500V; 3,3A; Idm: 66A; 205W; TO3PN

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDA16N50LDTU
Référence TME:
FDA16N50LDTU

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
DMOS, UniFET™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
500V
Courant du drain
3,3A
Courant du drain dans l'impulsion
66A
Puissance de dissipation
205W
Boîtier
TO3PN
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
0,38Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
45nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut5 g
Certificates
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FDA16N50LDTU
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